УДК 621.315.592 ФОРМИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНОЙ МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ ПРИ ТЕРМООБРАБОТКЕ КОНТАКТА Pd-Si 1КРЫЛОВ П. <...> Методом электронографии на отражение в сочетании с послойным химическим травлением исследована структура границы раздела Pd-Si, подвергнутой термообработке в интервале температур 330 – 870 К. <...> Показано, что на границе раздела фаз образуется переходный слой (ПС), состоящий из аморфной области и прилегающей к ней области упругодеформированного кремния нанометровых толщин. <...> ВВЕДЕНИЕ В последние годы интенсивно развивается физика многослойных пленочных структур нанометровой толщины на различных подложках. <...> При этом формирование структур может происходить методами молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксии [1], напыления [2], ионного наслаивания [3] и т.д. <...> Электрофизические свойства таких структур определяются структурой межфазных границ раздела. <...> В настоящей работе методом электронографии на отражение в сочетании с прецизионным химическим травлением исследована структура границы раздела контакта Pd-Si, подвергнутого термообработке в интервале температур 330 – 870 К, и показана возможность формирования при этом многослойных нанометровых фаз на границе раздела. <...> МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА В качестве исходных подложек использовались подложки монокристаллического кремния КЭФ-4,5 и КДБ-1. <...> Поверхностные слои исходного кремния контролировались электронографически: отбирались пластины с высокой степенью совершенства. <...> Без выноса на воздух проводился диффузионный отжиг образцов с напыленной пленкой металла при 330 – 870 К в течение 15 мин. <...> Часть поверхности каждого образца защищалась от нанесения пленки металла и использовалась в качестве эталона. <...> Электронографический анализ отожженных образцов проводился в сочетании с химическим послойным травлением. <...> Пленка непрореагировавшего палладия снималась в подогретом до 310 К травителе KJ : J2 : H2O = 5 : 1 : 14 . <...> Толщина удаленного за один цикл слоя кремния равнялась (2±0,4) нм <...>