Естественные и технические науки, № 6, 2014 Физика Ахмадалиев Б.Ж., ассистент Маматов О.М., ассистент Маматхонова Г.Ш., соискатель Полвонов Б.З., старший преподаватель Юлдашев Н.Х., доктор физикоматематических наук, профессор (Ферганский политехнический институт, Узбекистан) НЕКОТОРЫЕ СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ n CdS p CdTe / С ФОТОРЕЗИСТИВНЫМИ И ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИМИ СВОЙСТВАМИ Приводятся результаты исследования спектров фотопроводимости, тока короткого замыкания кзI пленки CdTe в пленочной гетероструктуре n CdS p CdTe / аномальными фотовольтаическими свойствами при освещении CdS подсветкой из области его собственного поглощения без подсветки. <...> THE SOME SPECTRAL CHARACTERISTICS OF FILM HETEROSTRUCTURE n CdS p CdTe / / The results of investigation of the photoconductivity spectra, short-circuit current shc and the optical properties of the film CdTe in the film heterostructure n CdS p CdTe WITH PHOTORESISTIVE AND PHOTOVOLTAIC PROPERTIES I with photoresistive and anomalous photovoltaic characteristics at illumination CdS backlight from area its own absorption and without backlight. <...> Интерес к исследованию варизонной пленочной гетероструктуры n CdS p CdTe / , как эффективного преобразователя солнечной энергии, постоянно растет [1-3]. <...> Приводятся результаты исследования спектральной зависимости фотопроводимости, тока короткого замыкания кз h тра. <...> Здесь мы рассматриваем спектральные характеристики пленочной гетероструктуры n CdS p CdTe 2 (,5 эВ CdS ) и покрывает почти всю видимую область солнечного спекс фоторезистивными (ФР) и аномальными фотовольтаическими ( АФВ) I и оптических свойств АФВ - пленки CdTe при освещении фоторезистора CdS подсветкой из области его собственного поглощения ( 2,5эВ ) и без подсветки. <...> При этом обнаружено, что АФВ свойства слоя CdTe модулируются при возбуждении фотопроводимости слоя CdS . <...> В частности, показано, что подсветка CdS со стороны подложки светом интенсивностью снимает аномально большое фотонапряжение ( АФН ) VАФН 200 в слое CdTe , генериро5 L 10 лк . <...> Lпс 10 лк практически полностью В 3 <...>