Естественные и технические науки, № 3, 2015 Физика полупроводников Юсупов А.Ю., профессор Ташкентского автомобильно-дорожного института (Узбекистан) Адамбаев К., старший научный сотрудник Научно-исследовательского института прикладной физики Национального университета Узбекистана Кутлимуратов А., кандидат наук, старший научный сотрудник Физикотехнического института НПО «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан Тураев З.З., младший научный сотрудник Ташкентского автомобильнодорожного института (Узбекистан) ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР р-cu2znsns(se)4/n-gaas Изучен процесс формирования тонких пленок Cu2ZnSn(S1-хSeх)4 на подложку арсенида галлия. <...> Результаты исследований показали, что методом термического вакуумного напыления металлических компонентов и последующей сулфиризацией и селенизацией образцов можно формировать гетероструктуры р- Cu2ZnSn(S1-хSeх)4/n-GaAs . <...> Key words: CZTSSe, heterostructure, photovoltaic cells, thinfilm, evaporation, thermal annealing. циента поглощения (порядка 104 см-1) фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) на основе GaAs имеют более высокий КПД, чем кремниевые. <...> Высокий коэффициент поглощения оптического излучения обусловлено прямыми оптическими переходами. <...> Поэтому большой КПД гетероэпитаксиальных фотопреобразователей (ГЭП) на основе GaAs достигнуты при значительно меньшей в сравнении с кремнием толщине материала. <...> В космических аппаратах, где основным источником электрической энергии являБлагодаря более оптимальной ширине запрещенной зоны (1,43 эВ) и высокого коэффиются солнечные батареи, очень важные значения имеют такие параметры, как масса, размер и КПД ФЭП. <...> Учитывая это, можно сказать, что главным материалом солнечных батарей для космоса, конечно, является арсенид галлия. <...> Для космических ФЭП очень важна также способность GaAs не терять КПД при нагревании концентрированным солнечным излучением и под действием высокоэнергетических излучений. <...> В этой связи в последнее время возрос интерес к созданию <...>