Механизм и закономерность снижения светового потока эффективных маломощных светодиодов на основе структур GaN/ InGaN при токе повышенной плотности (990,00 руб.)

Первый автор	Маняхин
Авторы	Варламов Д.О., Кукса В.В., Мокрецова Л.О.
Страниц	8

ID	880056
Аннотация	Проведены измерения светового потока эффективных светодиодов зелёного свечения малой мощности на основе гетероструктур InGaN/ GaN при стабильном токе плотностью в 2, 5–3, 5 раза выше номинальной. На основе модели АВС и механизма подпорогового образования точечных дефектов получена аналитическая зависимость спада светового потока во времени, с высокой степенью точности моделирующая поведение соответствующих экспериментальных зависимостей. Установлено, что деградация светодиодов по световому потоку при фиксированном прямом токе проходит по закону обратного квадрата времени наработки. Выявлен начальный период быстрой деградации, связанный с изменением состояния микровключений индия в твёрдом растворе InxGa1‐xN.

Механизм и закономерность снижения светового потока эффективных маломощных светодиодов на основе структур GaN/ InGaN при токе повышенной плотности / Ф.И. Маняхин [и др.] // Светотехника .— 2023 .— №6 .— С. 68-75 .— URL: https://rucont.ru/efd/880056 (дата обращения: 19.04.2025)